NTMFS4833NST1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTMFS4833NST1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SO-8FL |
Serie | SENSEFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 900mW (Ta), 86.2W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5250 pF @ 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 11.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 156A (Tc) |
Grundproduktnummer | NTMFS4 |
NTMFS4833NST1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4833NST1G PDF - EN.pdf |
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MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
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MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
ON QFN-8
NTMFS4834N ON
2024/03/19
2023/12/20
2024/11/13
2024/06/19
NTMFS4833NST1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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